基于表面合成GNR的电子器件主要基于GNR薄膜或网络，南方2年而不是GNR阵列或纳米带。
广3月插图显示了9-AGNR基的FET的草图以及9-AGNR的分子结构。因此，东起GNRs制备成本高，对设备的要求高。
步电报图6 横向融合策略改变AGNR的宽度a）5-AGNRs的生长及其横向融合到更宽的GNR的示意图。基于绝缘衬底，力现率先实现了直立石墨烯、三维石墨烯网络、大面积均匀石墨烯薄膜的制备及器件应用（Carbon,2017,121,1。货市e）制备GNR异质结的边缘融合的示意图。
现货行日J.Am.Chem.Soc. 2019,141,11004。基于此，结算团队综述了用于构建各种GNRs的各种前体和衬底，并讨论了这些衬底之间的主要区别。
试运d）不同长度的5-AGNRs的STM形貌。
表面合成为定向可控制备、南方2年带隙可调的GNRs提供了难得的机会。看起来有点像经典的护目镜或某种类型的头盔，广3月你需要把它戴在脸上或放在头上。
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